文献综述（或调研报告）：
- 基本原理与经典方法
在方块电阻的测量方法中，Valdeacute;s提出的四探针法是经典的分析方法之一。图1所示的探针是线性排列的，稳定电流通过1、4探针，测量2、3探针的电势差。假设电阻率为， 探针间距为S，可可以得出：
在半导体器件中，刻有四探针法测量出方块电阻，当扩散层的厚度相对于探针距离很小，并且晶片面积可视作无穷大时，得到：
其中方块电阻与探针的间距无关。文献[2]中提到了用汞触点代替金属探针的方法。
除了探针线性排列的方法之外，文献[3]中描述了简单的四探针测量方法。这一种方法不需要探针之间间隔相同的距离，也不需要知道其间隔的大小。所以这一种技术不需要高精度的探针就可以进行测量。探针以任意间隔排列在圆周上，测量两对电流电压值。相比于测量一对电流电压值的方法来说，误差降低了一个数量级。误差的其中一个来源是探针的位置错误，例如探针没有按照严格的线性排列，或四个探针并不在一个圆周上。由于后者引起的位置误差较小，所以测量误差降低。
图1 四探针法测量结构示意图
上面提到的四探针法并不适用于由肖特基接触的器件。由于接触点与样品之间发生肖特基接触，两个肖特基二极管中有一个不会被导通。文献[1]提出了在样品边缘引入第五个接触点Q的方法，将电流通过欧姆接触的辅助触点送入。通过沿圆周布置的探针测量两对电流电压值可以得到：
其中是电流流过D和C，测量Q和A之间的电势差得出的。，，同理。由方程(3)可以得到：
其中
这里用下标“5”来表示第五个接触点是辅助接触点。
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