文献综述
现状和发展趋势：
由于功率半导体器件在电力电子、微波通信等领域具有极其广泛的应用,近年来市场对工作频率、耐压能力等性能不断提出新的要求，在AlGaN/GaN HEMT器件这一方面取得了很大的突破，并对于它的性能参数（频率和功率特性）的载流子浓度、转移特性、输出特性等这几个方面有了深度的了解。其中就GaN基这一方面的知识就有很大的了解。GaN基HEMT器件工作的频段越高，输出的功率越大，器件的性能越好。也正是因为GaN的高性能参数，GaN也被誉为是目前第三代半导体材料的代表材料之一，相比于传统的硅材料，有着硅无法比拟的性能优势，从决定材料性能的禁带宽度、热导率、击穿电场等特性来看，比硅更优秀。比如，GaN功率器件同当前广泛应用的硅基相比，具有更高的临界电场强度，更低的开态电阻，更快的开关频率，可以实现更高的系统效率以及在高温下工作。很好的解决了当前硅材料的不足，改善了器件的散热、导通损耗、高温、高频等特性。因此，GaN被认为是继硅之后最重要的半导体材料之一。
虽然AlGaN/GaN HEMT器件有着良好的性能参数，但目前在将器件运用到实际的应用中仍然有这很大的困难。首先是成本问题非常严重，AlGaN/GaN HEMT器件虽然性能好，但在运用到实际商业领域中，降低制作成本成为了很大的阻扰。其次是器件的性能已经很好但仍然需要提高，可以从这几个方面入手，第一是提高衬底和外延材料的质量，减小体缺陷，研制新型材料结构。第二是引入更高质量钝化层，减小表面漏电。第三是提高凹栅和场板栅技术。第四是提高欧姆接触和肖特基接触性能。最后就是器件的集成问题和电路中的其他器件在高频大功率下与AlGaN/GaN HEMT器件的匹配性问题。
意义和价值：
AlGaN/GaN HEMT器件是性能优异的器件，在产业革命中扮演很重要的角色，对人类的社会生活有着极其重要的影响，GaN材料的禁带宽度大，热导率高，临界击穿电场高，饱和电子迁移率高，在应用上可以做到高击穿电压，耐高温，低导通损耗以及高输出功率，在电力电子、微波通信、光伏逆变、照明等领域具有其他材料无法比拟的优势，具有重大的战略意义，对现实工艺有着很大的发展未来。
参考文献：
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