摘要
砷化镓（GaAs）作为一种重要的第三代半导体材料，在微电子和光电子领域有着广泛的应用。
然而，GaAs材料中不可避免地存在各种缺陷，尤其是广延缺陷，会严重影响其光电性能和器件性能。
拉曼散射技术作为一种无损、高效的材料表征手段，在研究GaAs中广延缺陷方面具有独特优势。
本文首先介绍了GaAs材料、广延缺陷以及拉曼散射技术的相关概念，然后回顾了国内外利用拉曼散射技术研究GaAs中各种类型广延缺陷（如位错、堆垛层错、晶界等）的研究进展，并对不同研究方法的优缺点进行了比较分析。
此外，本文还讨论了缺陷浓度、温度、应力等因素对GaAs中广延缺陷拉曼散射信号的影响。
最后，对GaAs中广延缺陷的拉曼散射研究进行了总结和展望，指出了未来可能的研究方向。
关键词:砷化镓；广延缺陷；拉曼散射；缺陷表征；半导体材料
##1.1GaAs材料及其应用砷化镓（GaAs）是一种重要的化合物半导体材料，具有直接带隙、高电子迁移率、高电子饱和漂移速度等优异的光电特性[3]，被广泛应用于高频电子器件、光电探测器、激光器等领域[12]。
随着GaAs基器件在集成电路、5G通信、红外成像等领域的快速发展，对GaAs材料的质量和性能提出了更高的要求。
##1.2广延缺陷及其影响然而，在GaAs材料的制备和加工过程中，由于晶格失配、热应力等因素，不可避免地会产生各种缺陷[8,15]。
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